主要配置

聚焦≤ 5 μm的微区X射线束斑可激发二次电子影像，进行精准零误差定位、多点多区域同时分析测试以及深度剖析。选配UPS紫外光电子能谱、LEIPS低能反光电子能谱、AES/SAM俄歇电子能谱、Ar-GCIB氩团簇离子源、冷热样品台、样品保护传送模块等多个附件满足表面分析需求。

• 能量分辨率(正常工作条件)：对 Ag3d5/2 峰，半峰宽(FWHM)≤0.48eV；  

• 大束斑能量分辨率和灵敏度：对 Ag3d5/2 峰,能量分辨≤1.0 eV 时，光源功率不大于 100 W 条件下，计数率强度≥6 Mcps；

• 微区分析(≤10 μm)能量分辨率和灵敏度：对 Ag3d5/2 峰,能量分辨≤0.60 eV时，计数率强度≥50 Kcps, 分析功率小于 1.3W；  

• 微区分析(≤20 μm)能量分辨率和灵敏度：对 Ag3d5/2 峰,能量分辨≤0.60 eV时，计数率强度≥200 Kcps，分析功率小于 5W；

• 能够执行点分析、线扫描、面分析、化学态成像、深度剖析、 变角 AR-XPS；

• 化学态成像模式：扫描 X 射线成像模式；每个像素点有对应图谱。

基本用途

• 表面组分和化学态谱图分析（Spectrum）：检测深度 <10 nm, 检测灵敏度 0.1%；元素和化学态的空间分布（Mapping）：最小束斑尺寸 <5 μm；离子刻蚀进行深度剖析（Depth Profile）: 深度分辨率 <1 nm。