二次电子分辨率：0.5 nm@15 kV，0.8 nm@1 kV；放大倍数：5-2000,000；加速电压：0.02 kV-30 kV；配备检测器包括普通SE（二次电子检测器）、In-lens SE（环形内置式二次电子检测器）、EsB（能量选择背散射电子检测器）、STEM（扫描透射探测器），样品台角度范围-60-60°，可实现3D重构；

配备大面积100 mm²能谱仪，能谱分辨率：Mn Kα≤ 127 eV；能谱分析范围：Be4-Cf 98。

超高分辨率对材料化学组成、元素分布、组成相的形貌：尺寸、分布、形状等进行表征分析。